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软件特色

【视频】

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中新网兰州10月9日电 (高展 邓鹏银)汽车驶入甘肃陇南，语音提示随即响起：“前方桥隧密集，请减速慢行。”窗外青山连绵，桥隧相接，国庆期间一位自驾游客刚出高速就为这精准提示点赞。这背后，是陇南“智慧交管”正悄然运行的生动体现。近年来，陇南市公安局交管支队依托大数据、物联网等技术，构建起一套不仅能“听见”提醒，更能“预见”风险、“锁定”违法的智慧系统，为民众假日出行筑起一道“智能安全网”。

假日期间，在G8513平绵高速，无人机不时从智能机巢自动起飞，参与空中疏导、事故勘查。指挥中心值班民警轻点鼠标，就能调度无人机定速巡航，使事故勘查时间从原来的50分钟缩短至15分钟，大幅降低了二次事故风险。同时，在西秦岭、米仓山等超长隧道内布建的全息隧道治理系统，对超速、违法变道等行为进行精准管控，助力这三处特长隧道实现了“零事故”。当风险被精准感知，如何将其转化为高效的执法行动，则对管理模式提出了更高要求。

陇南市公安局交管支队支队长刘劭表示：“我们将推动更多警种数据接入，持续优化模型，深化‘全场景科技赋能’模式。”从险峻峡谷间的智能预警，到指尖轻触的云端服务，陇南“智慧交管”的探索，不仅实现了“零事故”与“秒办结”，更在于为同具复杂地形特征的地区，提供了一个“可复制、可演化”的数字化治理方案。(完)

【多元】

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国庆中秋假期期间，国际金价一路飙涨，接连突破3900美元、4000美元大关。截至10月8日，COMEX黄金最高触及4081美元/盎司，现货黄金最高触及4059.31美元/盎司，双双创下历史新高。受国际金价影响，国内足金饰价格持续上调。10月9日，周大福、周大生足金首饰价格为1168元/克，克价较9月30日上涨45元；周生生足金首饰价格为1170元/克，克价较9月30日上涨42元。(左雨晴）

【互动】

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中新网郑州10月9日电 (刘鹏 杨震)中国铁路郑州局集团有限公司(以下简称“国铁集团郑州局”)8日晚间消息称，今年国庆中秋8天假期期间，累计发送旅客660万人次，较2024年同期增长1.19%。其中在假期最后一日(10月8日)发送旅客104.8万人次，较2024年同期高峰日增长16.9%，创单日旅客发送量历史新高。

针对假期亲子游、研学游、红色游、康养游、赏秋游等需求旺盛，为满足旅客差异化出行需求，国铁集团郑州局发挥“米”字形高铁网优势，统筹管内高铁和普速运力资源，在北京、上海、杭州、广州、深圳等热门方向和管内郑州、洛阳、南阳、濮阳等城市间加大运力投放，采取加开临时旅客列车、动车组重联运行、增开夜间高铁列车和普速旅客列车加挂车厢等措施，满足旅客出行需求。

为更好服务经济社会发展，国铁集团郑州局持续深化铁旅融合发展，以小票根撬动大消费，密切联动地方文旅部门，在假日期间推出“凭高铁票享半价游”活动。同时，在商丘站内设置旅游咨询台，向旅客提供旅游宣传手册、地图，方便旅客规划出游线路。此外，联动地方交通部门，延长公交运营时间，开通焦作车站至云台山、神农山、陈家沟、嘉应观4条双向免费旅游直通车，不断提高旅客出行品质。

针对多地降温，用好瓦日、侯月等主要煤运通道，对电煤等重点物资运输实行运力倾斜，保证各大电厂存煤可耗天数保持较高水平；做好秋粮、化肥、节日物资等国计民生重点物资运输，开辟“绿色通道”，强化全程盯控，确保快速送达；持续提高中欧班列(郑州)开行品质和效率，保障国际产业链供应链稳定畅通，为服务经济社会高质量发展提供可靠运力保障。(完)

【极速】

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周鹏-刘春森团队方面认为，这是中国集成电路领域的“源技术”，使中国在下一代存储核心技术领域掌握了主动权。展望二维-硅基混合架构闪存芯片的未来，该团队期待该技术颠覆传统存储器体系，让通用型存储器取代多级分层存储架构，为人工智能、大数据等前沿领域提供更高速、更低能耗的数据支撑，让二维闪存成为AI时代的标准存储方案。

据悉，今年4月，周鹏-刘春森团队于《自然》(Nature)期刊提出“破晓”二维闪存原型器件，实现了400皮秒超高速非易失存储，是迄今最快的半导体电荷存储技术，为打破算力发展困境提供了底层原理。团队方面认为，如果要加快新技术孵化，就要将二维超快闪存器件充分融入互补金属氧化物半导体(CMOS)传统半导体产线。历经5年探索试错，研究团队在单个器件、集成工艺等多点协同攻关。如何将二维材料与互补金属氧化半导体(CMOS)集成又不破坏其性能，是团队需要攻克的核心难题。

CMOS电路表面有很多元件，如同一个微缩“城市”，有高楼也有平地；而二维半导体材料厚度仅有1个-3个原子，如“蝉翼”般纤薄而脆弱，如果直接将二维材料铺在CMOS电路上，材料很容易破裂。团队方面认为，研究人员没有必要去改变CMOS，而需要去适应它。团队决定从本身就具有一定柔性的二维材料入手，通过模块化的集成方案实现完整芯片集成。正是这项核心工艺的创新万博登录页面，实现了在原子尺度上让二维材料和CMOS衬底的紧密贴合，最终实现超过94%的芯片良率。

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